Производитель Номер продукта:
TSM900N06CW RPG
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM900N06CW RPG-DG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Подробное описание:
N-Channel 60 V 6A (Tc) 7.8W (Tc) Surface Mount SOT-223
Инвентаризация:
11279 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12895876
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM900N06CW RPG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
90mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
525 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
7.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
-
Квалификация
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-223
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
TSM900
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
TSM900N06CWRPGDKR
TSM900N06CW RPGTR
TSM900N06CW RPGTR-DG
TSM900N06CW RPGCT-DG
TSM900N06CWRPGCT
TSM900N06CW RPGDKR
TSM900N06CW RPGDKR-DG
TSM900N06CW RPGCT
TSM900N06CWRPGTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMT6016LJ3
MOSFET BVDSS: 41V-60V TO251
DMP3010LPS-13
MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060
TSM70N600CI C0G
MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB